型号: FZ1200R12KL4C
功能描述: IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE
制造商: Infineon Technologies
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.1 V
在25 C的连续集电极电流： 1900 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 7.8 kW
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 8
ROHS： 含铅
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：罗明
电话：13556641230
Q Q:
联系人：王俊涛
电话：18312353274
Q Q:
联系人：罗晓彬
电话：13719082314
Q Q:
