型号: FZ1200R33KF2
功能描述:
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3300 V
集电极—射极饱和电压: 3.4 V
在25 C的连续集电极电流: 2000 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 14.7 KW
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
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