型号:  FZT849TA

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  30 V

集电极—基极电压 VCBO:  80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  6 V

集电极—射极饱和电压:  350 mV

最大直流电集电极电流:  20 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  FZT849

直流电流增益 hFE 最大值:  100

高度:  1.65 mm

长度:  6.7 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  3.7 mm

商标:  Diodes Incorporated

集电极连续电流:  7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  30 at 20 A, 2 V

Pd-功率耗散:  3 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  112 mg