型号: G06N10
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：240mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W 类型：N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 240mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 25W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：欧阳莹
电话：13510131896
Q Q:
联系人：刘子杰
电话：13691898017
Q Q:
