型号: G08N06S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：李林
电话：18680328178
Q Q:
联系人：周生
Q Q:
联系人：丽莎，白小姐，安妮
电话：13662645934
Q Q:
