型号: G1NP02ELL
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.36A,1.15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：370mΩ @ 650mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.12W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.36A,1.15A(Tc)
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 370mΩ @ 650mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.12W(Tc)
类型: N沟道和P沟道
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