型号: G2003A
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):190V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 190V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 3A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 540mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.8W
类型: N沟道
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