型号: G20N06J
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A(Tc)
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 27mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 38W(Tc)
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：小陈
Q Q:
联系人：丁小姐
电话：13510562077
Q Q:
联系人：陈伟辉
电话：13058072201
Q Q:
