型号: G50N03A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 60W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：王先生
电话：13533889390
Q Q:
联系人：许硕
电话：18898582398
Q Q:
