型号: G66
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：-16V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：P沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -16V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.8A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 45mΩ @ 4.1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.7W
类型: P沟道
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