型号: G7P03L
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：20.5mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：P沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 1.1V @ 250uA
漏源导通电阻: 20.5mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.9W
类型: P沟道
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