型号: GA04JT17-247
功能描述: MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
制造商: GeneSiC Semiconductor
制造商: GeneSiC Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 91 W
配置: Single
封装: Tube
系列: GA04
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: GeneSiC Semiconductor
下降时间: 50 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 73 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 6.390 g
联系人：Alien
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