型号: GA100JT12-227
功能描述:
制造商: GeneSiC Semiconductor
技术： SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）： 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 160A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 14400pF @ 800V
功率耗散（最大值）： 535W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10 毫欧 @ 100A
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 底座安装
供应商器件封装： SOT-227
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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