型号: GA100XCP12-227
功能描述:
制造商: GeneSiC Semiconductor
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 0.5 mA
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: SOT-227
封装: Bulk
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 10
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