型号: GA10JT12-263
功能描述: GeneSiC Semiconductor/分立半导体产品
制造商: GeneSiC Semiconductor
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： 碳化硅，常闭
FET 功能： 超级结
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 25A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 120 毫欧 @ 10A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1403pF @ 800V
功率 - 最大值： 170W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： -
供应商器件封装： -
其它名称： 1242-1186GA10JT12-220ISOGA10JT12220ISO
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