型号:  GA10SICP12-263

功能描述:  MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak

制造商:  GeneSiC Semiconductor

制造商:  GeneSiC Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  25 A

Rds On-漏源导通电阻:  100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  55 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  170 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.597 mm

长度:  10.668 mm

类型:  Transistor/Schottky Diode Co-Pack

宽度:  9.169 mm

商标:  GeneSiC Semiconductor

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

单位重量:  1.600 g