型号: GA20SICP12-247
功能描述:
制造商: GeneSiC Semiconductor
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 45A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3091pF @ 800V
功率耗散(最大值): 282W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 50 毫欧 @ 20A
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AB
封装/外壳: TO-247-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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