型号: GB100XCP12-227
功能描述: IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
制造商: GeneSiC Semiconductor
制造商: GeneSiC Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: SiC
产品: IGBT Silicon Carbide Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
封装 / 箱体: SOT-227
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Bulk
系列: GB100XCP12
商标: GeneSiC Semiconductor
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 30 g
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