型号: GB35XF120K
功能描述: Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
标准包装： 14
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： -
IGBT 类型： NPT
配置： 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50A
功率 - 最大值： 284W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 3.475nF @ 30V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： ECONO2
供应商器件封装： -
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Q Q:
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电话：13360071553
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