型号: GB75DA120UP
功能描述: IGBT 晶体管 1200 Volt 75 Amp Generation V
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: IGBT 晶体管
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: SOT-227-4
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 131 A
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 10
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