型号:  GES6016

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 70Vcbo 70Vces 60Vces 5.0Vebo 625mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  60 V

集电极—基极电压 VCBO:  70 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.5 V

最大直流电集电极电流:  800 mA

增益带宽产品fT:  425 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  GES6016

直流电流增益 hFE 最大值:  500

封装:  Bulk

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  800 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  130

Pd-功率耗散:  1 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  Transistors