型号: GFB75N03
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69.4 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 38 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
联系人：李经理
电话：13126527014
Q Q:
联系人：徐帅
电话：15112332225
Q Q:
