型号: GKI10194
功能描述:
制造商: Sanken Electric Co., Ltd.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 55.8nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3990pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），77W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 17.6 毫欧 @ 20.4A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
封装/外壳： 8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱和西
电话：15814080130
Q Q:
联系人：林
电话：18025352849
Q Q:
联系人：方晓鑫
Q Q:
