型号: GP1M006A065F
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1177pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 39W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：岳先生
电话：13923765194
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：18219172356
Q Q:
联系人：吴优
电话：13544290005
Q Q:
