型号: GP1M008A025PG
功能描述: Global Power Technologies Group/分立半导体产品
制造商: Global Power Technologies Group
产品相片： I-Pak
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 600 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 423pF @ 25V
功率 - 最大值： 52W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装： I-Pak
其它名称： 1560-1166-11560-1166-1-ND
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