型号: GP1M016A060F
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 53nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3039pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 48W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 470 毫欧 @ 8A， 10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郭鹏程
电话：13113332704
Q Q:
联系人：张先生
电话：15999623409
Q Q:
