型号: GP2M005A050CG
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 645pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 98.4W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 欧姆 @ 2.25A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D-Pak
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：向翱
电话：15366223933
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：吴晓华
电话：13826505637
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18938907853
Q Q:
