型号: GP2M008A060PGH
功能描述: Global Power Technologies Group/分立半导体产品
制造商: Global Power Technologies Group
产品相片： I-Pak
标准包装： 7,200
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1063pF @ 25V
功率 - 最大值： 120W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装： I-Pak
其它名称： 1560-1205-21560-1205-2-ND
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