型号: GS-010-120-1-P-E01-MR
功能描述: MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled
制造商: GaN Systems
制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V to 7 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: GaN Systems
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
零件号别名: GS-010-120-1-P-E01-MR
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：林
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：15813714218
Q Q:
