型号:  GS66516B-E01-MR

功能描述:  MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN

制造商:  GaN Systems

制造商:  GaN Systems

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  GaN

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  GaNPX-5

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  7 V

Qg-栅极电荷:  12 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  -

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.54 mm

长度:  11 mm

产品:  MOSFET

系列:  GS66516x

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9 mm

商标:  GaN Systems

下降时间:  22 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12.4 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14.9 ns

典型接通延迟时间:  4.6 ns

零件号别名:  GS66516B-E01-MR