型号: GSM-065-120-1-N-0
功能描述: MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
制造商: GaN Systems
制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 7 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
系列: GSM-065
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: GaN Systems
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郭海英
电话：13798387995
Q Q:
联系人：彭威豪
电话：13530088610
Q Q:
