型号: GSM-065-120-1-N-0
功能描述: MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
制造商: GaN Systems
制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 7 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
系列: GSM-065
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: GaN Systems
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
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