型号: GT10J303(Q)
功能描述: IGBT Transistors IGBT, 600V, 10A
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 50
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 10A
功率 - 最大： 30W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装： TO-220NIS
包装材料 ： Tube
渠道类型： N
配置： Single
外形尺寸： 10 x 4.5 x 8.1mm
身高： 8.1mm
长度： 10mm
最大集电极发射极电压： 600 V
最大连续集电极电流： 10 A
最大栅极发射极电压： ±20V
最高工作温度： +150 °C
最低工作温度： -55 °C
安装类型： Through Hole
包装类型： TO-220NIS
引脚数： 3
宽度： 4.5mm
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