型号: GT10J303(Q)
功能描述: IGBT Transistors IGBT, 600V, 10A
制造商: Toshiba
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 50
IGBT 型 : -
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大): 10A
功率 - 最大: 30W
Input 型 : Standard
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装: TO-220NIS
包装材料 : Tube
渠道类型: N
配置: Single
外形尺寸: 10 x 4.5 x 8.1mm
身高: 8.1mm
长度: 10mm
最大集电极发射极电压: 600 V
最大连续集电极电流: 10 A
最大栅极发射极电压: ±20V
最高工作温度: +150 °C
最低工作温度: -55 °C
安装类型: Through Hole
包装类型: TO-220NIS
引脚数: 3
宽度: 4.5mm
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