型号: GT10Q101(Q)
功能描述: IGBT Transistors 1200V/10A DIS
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 50
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 10A
功率 - 最大： 140W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P(N)
包装材料 ： Tube
供应商封装形式： TO-3PN
最大栅极发射极电压： ±20
最大连续集电极电流： 10
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： TO-3PN
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 1200
最大功率耗散： 140000
最低工作温度： -55
引脚数： 3
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