型号: GT15J311(SM,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 散装
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 15A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.7V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 70W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: -
25°C 时 Td(开/关)值: 400ns/500ns
测试条件: 300V,15A,75 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 200ns
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-220SM
其它名称: GT15J311(Q)(SM)GT15J311(Q)(SM)-ND
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