型号: GT15J311(SM,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 散装
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 15A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 30A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.7V @ 15V，15A
功率 - 最大值： 70W
开关能量： -
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 400ns/500ns
测试条件： 300V，15A，75 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 200ns
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-220SM
其它名称： GT15J311(Q)(SM)GT15J311(Q)(SM)-ND
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