型号: GT20J341
功能描述: Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商: Toshiba
最大连续集电极电流: 20 A
最大集电极-发射极电压: 600 V
最大栅极发射极电压: ±25V
最大功率耗散: 45 W
封装类型: TO-220SIS
安装类型: 通孔
通道类型: N
引脚数目: 3
开关速度: 100kHz
晶体管配置: 单
长度: 10mm
宽度: 4.5mm
高度: 15mm
尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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