型号: GT25Q102(Q)
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin TO-3P
制造商: toshiba
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 100
IGBT 型 : -
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A
- 集电极电流(Ic)(最大): 25A
功率 - 最大: 200W
Input 型 : Standard
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-3PL
供应商器件封装: TO-3P(LH)
包装材料 : Tube
包装: 3TO-3P
配置: Single
最大集电极发射极电压: 1200 V
最大连续集电极电流: 25 A
最大栅极发射极电压: ±20 V
安装: Through Hole
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