型号: GT25Q102(Q)
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin TO-3P
制造商: toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 100
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.7V @ 15V, 25A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 25A
功率 - 最大： 200W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3PL
供应商器件封装： TO-3P(LH)
包装材料 ： Tube
包装： 3TO-3P
配置： Single
最大集电极发射极电压： 1200 V
最大连续集电极电流： 25 A
最大栅极发射极电压： ±20 V
安装： Through Hole
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