型号: GT50N322A(Q)
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
制造商: Toshiba
集电极电流（DC ）： 50 A
集电极 - 发射极电压： 1000 V
安装： Through Hole
包装类型： TO-3P(N)
引脚数： 3 +Tab
工作温度（最大）： 150C
工作温度（最小值）： -55C
工作温度分类： Military
渠道类型： N
配置： Single
Gate to Emitter Voltage (Max)： �25 V
弧度硬化： No
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