型号: GT60PR21,STA1F(S
功能描述: Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 0.6μs, 3引脚 TO-3P封装
制造商: Toshiba
最大连续集电极电流： 60 A
最大集电极-发射极电压： 1100 V
最大栅极发射极电压： ±25V
最大功率耗散： 333 W
封装类型： TO-3P
安装类型： 通孔
通道类型： N
引脚数目： 3
开关速度： 0.6µs
晶体管配置： 单
长度： 15.5mm
宽度： 4.5mm
高度： 20mm
尺寸： 15.5 x 4.5 x 20mm
栅极电容： 2350pF
最高工作温度： 175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：周志
电话：13524917997
Q Q:
联系人：卢宝应
电话：15010992316
Q Q:
联系人：丁皓鹏
电话：18124166365
Q Q:
