型号: H5N5012P-E
功能描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
制造商: Renesas Electronics (瑞萨电子)
封装: TO-3P
极性: N-CH
漏源极电压(Vds): 500V
连续漏极电流(Ids): 25A
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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