型号: H7N1002LS-E
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 155nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9700pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10 毫欧 @ 37.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 4-LDPAK
封装/外壳： SC-83
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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