型号: HAT1127H-EL-E
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 40A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
制造商: renesas electronics
包装： 5LFPAK
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 40 A
RDS -于： 4.5@10V mOhm
最大门源电压： ±10 V
典型导通延迟时间： 25 ns
典型上升时间： 40 ns
典型关闭延迟时间： 130 ns
典型下降时间： 115 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
连续漏极电流： 40 A
栅源电压（最大值）： �10 V
功率耗散： 30 W
漏源导通电阻： 0.0045 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： LFPAK
封装： Tape and Reel
引脚数： 4 +Tab
极性： P
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 30 V
弧度硬化： No
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：l李小二
电话：13728608827
Q Q:
联系人：李卫军
电话：18600323063
Q Q:
联系人：许先生
电话：18924586008
Q Q:
