型号: HAT2092R-EL-E
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 16 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1400pF @ 10V
功率 - 最大值： 3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOP
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：林先生
电话：13662647789
Q Q:
联系人：郭生
电话：13826552982
Q Q:
联系人：江先生
电话：13662277794
Q Q:
