型号: HAT2165HWS-E
功能描述: MOSFET N-CH LFPAK-5
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 55A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.3 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 33nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5180pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 30W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-LFPAK
封装/外壳: SC-100，SOT-669
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