型号: HAT2169H
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6650pF @ 10V
功率 - 最大值： 30W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-100，SOT-669
供应商器件封装： LFPAK
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：王
电话：15914054985
Q Q:
联系人：肖海坚
电话：13267795073
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13622673179
Q Q:
