型号: HAT2185WPWS-E
功能描述: MOSFET N-PAK WPAK
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 190 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 430pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 20W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WPAK
封装/外壳: 8-PowerWDFN
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