型号: HAT2200WP
功能描述: Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin WPAK
制造商: renesas electronics
XPackage： WPAK
包装： 8WPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 100 V
最大连续漏极电流： 20 A
RDS -于： 28@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 16 ns
典型上升时间： 9.5 ns
典型关闭延迟时间： 31 ns
典型下降时间： 4.6 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
最低工作温度： -55
包装高度： 0.8(Max)
最大功率耗散： 20000
渠道类型： N
最大漏源电阻： 28@10V
最大漏源电压： 100
每个芯片的元件数： 1
包装宽度： 6.1
供应商封装形式： WPAK
包装长度： 5.1
PCB： 8
最大连续漏极电流： 20
引脚数： 8
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