型号: HAT2279N-EL-E
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 12.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3520pF @ 10V
功率 - 最大值： 25W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-LFPAK-iV
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