型号: HAT3029R-EL-E
功能描述: POWER MOSFET
制造商: renesas electronics
包装： 8SOP
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 6 A
RDS -于： 34@10V@N Channel|32@10V@P Channel mOhm
最大门源电压： ±20@N Channel|10@P Channel V
典型导通延迟时间： 5.4@N Channel|18@P Channel ns
典型上升时间： 10@N Channel|19@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 36@N Channel|47@P Channel ns
典型下降时间： 3@N Channel|8@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
连续漏极电流： 6 A
功率耗散： 2 W
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： SOP
封装： Tape and Reel
引脚数： 8
极性： N/P
类型： Power MOSFET
元件数： 2
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 30 V
弧度硬化： No
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