型号: HF25N50
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：173W(Tc) 类型：N沟道
制造商: HL(豪林)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 300mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 173W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：15811826553
Q Q:
联系人：李凯奇
电话：13585634684
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
