型号: HGT1S12N60A4S9A
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 800
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 带卷(TR)
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 54A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 96A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.7V @ 15V,12A
功率 - 最大值: 167W
开关能量: 55µJ(开),50µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 78nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/96ns
测试条件: 390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263AB
其它名称: HGT1S12N60A4S9ATR
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